%0 Journal Article
%T 原子层沉积生长速率的控制研究进展
%A 夏 洋
%A 李 楠
%A 李超波
%A 董亚斌
%A 卢维尔
%J 无机材料学报
%D 2014
%X 摘要： 原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术, 可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点, 逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率, 不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用, 更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果, 以及ALD技术生长速率的影响因素, 并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。
%K 原子层沉积
%K 生长速率
%K 生长机制
%K 位阻效应
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2014.13449