%0 Journal Article
%T PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响
%A 杨建锋
%A 王波
%A 赵婷
%A 秦毅
%J 无机材料学报
%D 2014
%X 摘要： 采用射频等离子增强化学气相沉积设备, 以高纯N2和B2H6为气源, 制备了系列h-BN薄膜, 得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下, 研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明: 在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下, 沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响, 且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对h-BN薄膜的结晶质量有所影响, 而物相和光学带隙基本没有改变。
%K h-BN薄膜
%K 沉积时间
%K 退火时间
%K 光学带隙
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2014.13549