%0 Journal Article
%T 铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能
%A 吴莉莉
%A 尹龙卫
%A 张海良
%A 曹丙强
%A 苑帅
%A 刘畅
%J 无机材料学报
%D 2016
%X 摘要： γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料, 适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜, 探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下, 制备出了高透过率(可见光范围>75%)、导电性能好(电阻率4.4×10-2 Ω·cm)的CuI薄膜。利用CuI薄膜作为空穴传输层, 组装了CuI/CH3NH3PbI3/PCBM反型平面钙钛矿电池, 获得的最高光电转换效率为8.35%, 讨论了CuI薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。
%K 碘化亚铜
%K 铜膜碘化法
%K 透明导电
%K 反型钙钛矿太阳能电池
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20150455