%0 Journal Article
%T 共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3(Al, Ga)5O12粉体
%A 江浩川
%A 秦海明
%A 罗朝华
%A 蒋俊
%A 陈先强
%A 张烨
%J 无机材料学报
%D 2016
%X 摘要： 通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水, 共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体, 并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理, 采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征, 结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。
%K Gd<sub>3</sub>(Al
%K Ga)<sub>5</sub>O<sub>12</sub>陶瓷
%K 共沉淀
%K 煅烧
%K 无机闪烁体
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20160075