%0 Journal Article
%T ZnO压敏陶瓷的晶粒生长和电学性能
%A 章天金
%A 周东祥
%A 龚树萍
%J 无机材料学报
%D 1999
%X 摘要： 研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响，分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型，应用晶粒生长的动力学方程：Gn=Dtexp(-E/RT)确定了晶粒生长的动力学指数和激活能．实验结果表明：对于低压ZnO压敏陶瓷，其晶粒生长的动力学指数n＝6，激活能E＝224±17kJ／mol，随着Mn、Co价态的增加，ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加，提高烧结温度，ZnO压敏陶瓷的压敏场强E1mA降低，漏电流IL增加，非线性系数α降低．在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中，烧结温度以不超过1250℃为宜．
%K 晶粒生长
%K 电性能
%K 价态
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11465.shtml