%0 Journal Article
%T 硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究
%A 贾护军
%A 杨银堂
%A 朱作云
%A 李跃进
%J 无机材料学报
%D 2000
%X 摘要： 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．
%K 外延生长
%K β－SiC薄膜
%K 淀积温度
%K 结晶度
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10225.shtml