%0 Journal Article
%T 低压沉积温度对MoSi2涂层微观结构与性能影响
%A 吴 恒， 李贺军， 王永杰， 付前刚， 何子博， 魏建锋
%J 无机材料学报
%D 2009
%X 摘要： 以SiCl4和H2为原料，采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层，研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响. 研究结果表明：在1100~1200℃下制备的涂层结构致密，由单一MoSi2组成，沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势；当沉积温度高于1200℃，涂层出现开裂现象，由游离Si和MoSi2两相组成，涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势. 1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应，而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.
%K LPCVD
%K MoSi<SUB>2</SUB>涂层
%K 微观结构
%K 性能
%K 沉积温度
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2009.00392