%0 Journal Article
%T NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷的巨介电性质及NaCu3Ti3SbO12陶瓷的低介电损耗特性
%A 张家良
%A 彭 华
%A 徐攀攀
%A 曹恩思
%A 郝文涛
%J 无机材料学报
%D 2014
%X 摘要： 利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷, 对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示, 两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为; 在室温或者更低温度下, 两种陶瓷的介电频谱(40 Hz~110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫, 而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫; XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05, 并且其1 kHz的介电损耗在-50~ 80℃的宽温度范围内低于0.05, 这对于实际应用有重要意义。
%K NaCu<sub>3</sub>Ti<sub>3</sub>NbO<sub>12</sub>
%K NaCu<sub>3</sub>Ti<sub>3</sub>SbO<sub>12</sub>
%K 巨介电性质
%K 内阻挡层电容效应
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2014.13212