%0 Journal Article
%T r.f.PCVD法制备c-BN膜的研究
%A 张晓玲
%A 胡奈赛
%A 何家文
%J 无机材料学报
%D 1999
%X 摘要： 采用 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等技术， 对在渗硼层表面经ｒ.ｆ. Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 沉积的 Ｂ Ｎ 膜进行了研究试验证明， 与采用 Ｎ２ 气和 Ｈ２ 气相比， 以 Ａｒ ＋ １０ｖｏｌ％ Ｈ２ 作为载气， 所获得的膜层ｃ-Ｂ Ｎ 含量最高， 膜厚最大， 可达４.６μｍ ， 且膜基结合良好而以 Ｎ２ 气或 Ｈ２ 气为载气时， 前者会导致膜基结合力大大下降， 后者会引起沉积速度明显降低结果表明， 对于 Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 过程， 控制ｃ- Ｂ Ｎ 形成的主要因素是离子轰击能量的转移， 而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由ａ- Ｂ Ｎ 和ｃ- Ｂ Ｎ 组成， ｃ- Ｂ Ｎ的尺寸为２０ ～４０ｎｍ
%K c-BN膜
%K r.f.PCVD
%K 载气
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract9520.shtml