%0 Journal Article
%T 氧化钒薄膜在玻璃基片上的生长研究
%A 吴志明
%A 王涛
%A 蒋亚东
%A 魏雄邦
%J 无机材料学报
%D 2008
%X 摘要： 采用直流反应磁控溅射法, 在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜. 采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明, 厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的颗粒增大, 晶化增强; 薄膜具有明显的垂直于衬底表面的“柱”状择优生长特征. 对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析, 证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的方阻减小, 方阻温度系数升高, 薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大, 薄膜的金属-半导体相变逐渐趋于明显.
%K 氧化钒薄膜
%K 玻璃
%K 厚度
%K 直流磁控溅射
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2008.00364