%0 Journal Article
%T La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究
%A 谭兴毅
%A 赵省贵
%A 陈长乐
%A 金克新
%J 无机材料学报
%D 2009
%X 摘要： 利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO2的基片上制备了(La2/3Sr1/3MnO3)x/(ZnO)1-x混合物薄膜，研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明，除了衬底SiO2的衍射峰以外，分别出现了La2/3Sr1/3MnO3（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰，且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性，而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下，x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明，在La2/3Sr1/3MnO3和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层，且产生了界面缺陷态.
%K 锰氧化物颗粒薄膜
%K 磁电阻效应
%K 伏安特性
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/sp.j.1077.2009.00591