%0 Journal Article
%T 高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长
%A 杨培志
%A 廖晶莹
%A 沈炳孚
%A 邵培发
%A 倪海红
%A 方全兴
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 2002
%X 摘要： 用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．
%K 钨酸铅晶体
%K 坩埚下降法
%K 杂质分析
%K 闪烁性能
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10451.shtml