%0 Journal Article
%T 低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料
%A 沈辉
%A 潘晓明
%A 宋元伟
%A 奚益明
%A 王评初
%J 无机材料学报
%D 2002
%X 摘要： 报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称ＧＢＢＬＣ)．材料的有效介电常数高达３７×１０４,损耗可控制在４%,晶粒５μｍ左右,ΔＣ/Ｃ＜±３%(２０~１５０℃),频率色散较小,且制备工艺简单．
%K SrTiO<SUB>3</SUB>
%K GBBL电容器
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10433.shtml