%0 Journal Article
%T 激光作用下GeS2非晶半导体薄膜的性能及结构变化
%A 刘启明
%A 干福熹
%A 顾冬红
%J 无机材料学报
%D 2002
%X 摘要： 采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
%K GeS<SUB>2</SUB>非晶半导体薄膜
%K 氩离子激光辐照
%K 光致变化
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10363.shtml