%0 Journal Article
%T 脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究
%A 刘艺
%A 卢成嘉
%A 吴超峰
%A 张强
%A 曹林洪
%A 朱思宇
%A 朱承治
%A 杨佳
%A 王轲
%A 祝志祥
%A 高志鹏
%J 无机材料学报
%D 2019
%X 摘要： 陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应, 一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷, 采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验, 通过对陶瓷击穿过程的分析和对比, 研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示, 不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7 μs之内, 典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成; 第二阶段对应于晶界击穿; 第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示, 晶粒击穿过程的持续时间最长, 晶界次之, 气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下, 样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。
%K ZnO陶瓷
%K 多晶材料
%K 击穿过程
%K 脉冲电压
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20180429