%0 Journal Article
%T 无催化剂碳热还原法制备SiC@SiO2纳米电缆
%A 刘光华
%A 孙思源
%A 崔巍
%A 张杰
%A 田兆波
%A 陈克新
%J 无机材料学报
%D 2019
%X 摘要： SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料, 以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便, SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义。本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500 ℃的Ar气氛下, 通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆。该核壳的纳米电缆是由单晶β-SiC核心和无定形SiO2壳组成, 其长度达几百微米, 直径为60~80 nm, 而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸。结合实验数据并依据气-固(VS)机理解释了SiC@SiO2纳米电缆的形成过程, 同时也进一步丰富了该生长机制, 为其工业化生产提供了参考。
%K 碳化硅
%K 纳米电缆
%K 碳热还原
%K 无催化剂
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20190028