%0 Journal Article
%T CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征
%A 刘永胜
%A 成来飞
%A 张立同
%A 徐永东
%A 刘谊
%J 无机材料学报
%D 2005
%X 摘要： 以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀.
%K 化学气相渗透（CVI）
%K C/Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>复合材料
%K 微观结构
%K 工艺参数
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract9257.shtml