%0 Journal Article
%T MMVCX光伏型HgCdTe中波探测器暗电流温度特性
%A 丁瑞军
%A 何力
%A 何家乐
%A 叶振华
%A 吴明在
%A 王鹏
%A 许娇
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 研究了光伏型HgCdTe中波探测器的暗电流与烘烤时间的关系特性.编写了一种适用于n-on-p型的中波HgCdTe红外探测器的解析拟合程序.结合暗电流的主导机制有扩散机制、产生复合机制、带间直接隧穿机制和陷阱辅助隧穿机制.通过对样品不同烘烤时间的R-V曲线的解析拟合, 得到了它们的暗电流成分, 提取了6个特征参数.通过对比不同烘烤时间特征参数的变化, 分析了烘烤对器件的影响
%K HgCdTe 光伏探测器 暗电流 非线性同时拟合模型 烘烤
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160470&flag=1