%0 Journal Article
%T 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器
%A 孙姚耀
%A 廖永平
%A 张宇
%A 徐应强
%A 杨成奥
%A 柴小力
%A 牛智川
%A 黄书山
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作, 阈值电流密度为402 A/cm2, 在脉冲工作模式下, 功率达到700 mW
%K GaSb基
%K 半导体激光器
%K 量子阱
%K 中红外
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160390&flag=1