%0 Journal Article
%T 基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz 的InAlN/GaN HFETs 器件
%A 冯志红
%A 吕元杰
%A 宋旭波
%A 尹甲运
%A 张志荣
%A 房玉龙
%A 蔡树军
%A 谭鑫
%A 郭红雨
%J 红外与毫米波学报
%D 2016
%X 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs= 1 V时, 器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm, 峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz, 该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值
%K InAlN/GaN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160001&flag=1