%0 Journal Article
%T 简易化学水浴法制备SnO2/p-Si异质结光电性能
%A 何波
%A 宁欢颇
%A 张建成
%A 张磊
%A 徐静
%A 秦玉明
%A 赵磊
%A 邢怀中
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 通过一种简易化学水浴法将SnO2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO2/p-Si异质结光电器件, 这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO2薄膜的微结构、光学和电学性能, 对SnO2/p-Si异质结的I-V曲线进行测试并分析, 获得明显的光电转换特性
%K SnO2薄膜 化学水浴法 异质结 I-V曲线
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160285&flag=1