%0 Journal Article
%T GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面
%A 任洋
%A 刘思佳
%A 徐应强
%A 牛智川
%A 王国伟
%A 郝瑞亭
%A 郭杰
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 本论文系统的研究了，随着GaSb薄膜生长温度的降低，V/III比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响。为了获得良好表面形貌的GaSb外延层，生长温度与V/III比均需要同时降低。当Sb源裂解温度为900℃时，生长得到低缺陷表面的低温GaSb薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1
%K 低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160280&flag=1