%0 Journal Article
%T 利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征
%A 何巍
%A 杨辉
%A 陆书龙
%J 红外与毫米波学报
%D 2016
%X 利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果
%K 分子束外延（MBE） GaAs/Ge 异质外延
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=150431&flag=1