%0 Journal Article
%T 磁光—光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级
%A 朱亮
%A 杨建荣
%A 盛峰峰
%A 祁镇
%A 邵军
%A 陈熙仁
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence, PL)光谱测量, 发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试, 获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明: (1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布, 并因此导致轻、重空穴带分裂；(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程
%K CdZnTe单晶
%K 磁光光致发光光谱
%K 应力
%K 轻空穴
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160420&flag=1