%0 Journal Article
%T 多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取
%A 于盼盼
%A 周影
%A 高建军
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中, 根据可缩放规律, 由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12 μm (栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模, 测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合
%K MOSFET器件、小信号模型、趋肤效应、等效电路、参数提取、半导体器件建模
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=170055&flag=1