%0 Journal Article
%T 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理
%A 何力
%A 傅祥良
%A 卜顺栋
%A 张彬
%A 杨凤
%A 沈川
%A 王伟强
%A 王高
%A 赵真典
%A 陈路
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 本文基于暗电流模型，通过变温I-V分析长波器件（截止波长为9-10μm）的暗电流机理和主导机制。实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性。结果表明，对于B+离子注入的平面结汞空位n+-on-p结构，替代衬底上的碲镉汞（HgCdTe）器件零偏阻抗（R0）在80K以上与碲锌镉（CdZnTe）基碲镉汞器件结阻抗性能相当。但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错，使得从80K开始缺陷辅助隧穿电流（Itat）超过产生复合电流（Ig-r），成为暗电流的主要成分。与平面n+-on-p器件相比，采用原位掺杂组分异质结结构（DLHJ）的p+-on-n台面器件，因吸收层为n型，少子迁移率较低，能够有效抑制器件的扩散电流。80K下截止波长9.6μm，中心距30μm，替代衬底上的p+-on-n台面器件品质参数（R0A）为38 Ω·cm2，零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍。但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响，在60K以下较高的Itat成为暗电流主导成分，其R0A相比CdZnTe基n+-on-p的HgCdTe差了一个数量级
%K 碲镉汞
%K 红外焦平面
%K 长波
%K 替代衬底
%K 暗电流
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160298&flag=1