%0 Journal Article
%T CdZnTe中富碲沉积相缺陷引起的液相外延HgCdTe薄膜表面缺陷
%A 吴军
%A 左大凡
%A 张阳
%A 木胜
%A 李东升
%J 红外与毫米波学报
%D 2018
%X 为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制, 采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化, 研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹陷坑缺陷以及三角形凹陷坑聚集区;在液相外延过程中, 高温碲镉汞熔液与CdZnTe衬底间的回熔作用可以减少与富碲沉积相相关的表面缺陷, 薄膜表面缺陷与衬底表面富碲沉积相的匹配度与回熔深度负相关;回熔过程以及富碲沉积相形态、深度影响HgCdTe薄膜表面缺陷形态和分布
%K 富碲沉积相 液相外延 碲镉汞 碲锌镉 表面缺陷
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=180076&flag=1