%0 Journal Article
%T 真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响
%A 周松敏
%A 孙常鸿
%A 林春
%A 沈灏
%A 王溪
%A 魏彦峰
%J 红外与毫米波学报
%D 2018
%X 对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现, 退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态, 使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后, 真空条件下退火, 240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大, Au掺杂的浓度几乎不变.但是, 温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响, 因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后, 霍尔测试得到的载流子浓度从2×1016cm-3左右升高至5.5×1016cm-3左右
%K Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=170315&flag=1