%0 Journal Article
%T 基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真
%A 程正喜
%A 钟燕平
%A 陈永平
%A 鞠国豪
%J 红外与毫米波学报
%D 2018
%X 采用标准CMOS工艺制备的n+-p-π-p+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×1012/cm2,峰值浓度深度为2.1 μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高
%K 标准CMOS工艺 线性APD
%K 掺杂分布
%K 峰值浓度深度
%K 仿真
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=170306&flag=1