%0 Journal Article
%T 长波碲镉汞变面积二极管器件
%A 姬荣斌
%A 孔金丞
%A 庄继胜
%A 朱颖峰
%A 李东升
%A 李立华
%A 李雄军
%A 胡彦博
%A 赵俊
%A 韩福忠
%J 红外与毫米波学报
%D 2016
%X 采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77～147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响；127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响
%K 长波碲镉汞 变面积二极管 表面钝化 R0A P/A
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=150507&flag=1