%0 Journal Article
%T 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管
%A 冯志红
%A 吕元杰
%A 宋旭波
%A 尹甲运
%A 张志荣
%A 房玉龙
%A 蔡树军
%A 谭鑫
%J 红外与毫米波学报
%D 2017
%X 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小, Vgs= 1 V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm, 峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知, 该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果
%K InAlN/GaN HFET fT 再生长n -GaN欧姆接触
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160123&flag=1