%0 Journal Article
%T InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用
%A 于伟华
%A 侯彦飞
%A 刘军
%A 吕昕
%A 崔大胜
%A 杨宋源
%J 红外与毫米波学报
%D 2018
%X 利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模, 并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度, 该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻, 在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性, 基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4dB@92.5GHz, 3dB带宽为25GHz@85-110GHz.而且, 该放大器也表现出了良好的噪声特性, 在88GHz处噪声系数为4.1dB, 相关增益为13.8dB.与同频段其他芯片相比, 该放大器单片具有宽3dB带宽和高的单级增益
%K InAlAs/InGaAs/InP
%K 赝高电子迁移率晶体管（PHEMTs）
%K 小信号模型
%K 毫米波和亚毫米波
%K 单片微波集成电路（MMIC）
%K 低噪声放大器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=180047&flag=1