%0 Journal Article
%T n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺
%A 唐恒敬
%A 曹高奇
%A 李平
%A 李淘
%A 李雪
%A 王瑞
%A 石铭
%A 邵秀梅
%A 黄星
%A 龚海梅
%J 红外与毫米波学报
%D 2016
%X 采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4 μm的延伸波长8×1元线列InGaAs探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层SiNx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 mV偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 nA/cm2和5.5×10-4 A/cm2
%K InGaAs ICPCVD 暗电流 n on p 钝化
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=150087&flag=1