%0 Journal Article %T InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性 %A 宋志勇 %A 康亭亭 %A 张豫徽 %A 林铁 %A 田丰 %A 陈平平 %J 红外与毫米波学报 %D 2017 %X 在12~300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度, 在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应, 从而造成在低温下(< 35 K) 出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合, 证明了它可能来源于二维(2-D)体系, 比如InSb的界面态 %K 锑化铟 磁阻效应 弱反局域化效应 弱局域化效应 界面/表面态 %U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=160394&flag=1