%0 Journal Article
%T 氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究
%A 唐吉龙
%A 孙秀平
%A 房丹
%A 方铉
%A 李微
%A 潘景薪
%A 王新伟
%A 王晓华
%A 王登魁
%J 中国激光
%D 2018
%R 10.3788/cjl201845.0103003
%X 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明, N掺杂引起了晶格畸变, Cu2O薄膜的表面粗糙度增大; 掺杂后Cu2O薄膜的带隙宽度从2.70 eV增加到3.20 eV, 吸收边变得陡峭; 掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm-3, 相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm-3)的提升了一个数量级。
%U http://www.opticsjournal.net/Articles/abstract?aid=OJ1801240001385A8D0G