%0 Journal Article
%T 嵌入吸收式单刀八掷开关电路<br>Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch
%A 王玲
%A 唐小宏
%A 肖飞
%A 杨刘君
%J 电子科技大学学报
%D 2015
%R 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
%X 提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14～18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷(SP8T)开关电路,导通损耗小于3.9 dB,输出端回波损耗大于10 dB;隔离度大于60 dB,输入、输出端回波损耗大于12 dB。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内,相比传统结构的吸收式开关电路,具有在导通状态下损耗略小;在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。<br>
%K 嵌入吸收式
%K 匹配电路
%K 寄生参数
%K 单刀八掷开关
%K 表面波&lt
%K br&gt
%U http://manu50.magtech.com.cn/dzkjdx/CN/abstract/abstract194.shtml