%0 Journal Article
%T 具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究<br>An Energy-Decoupling Frame Structure MEMS Resonator for Q-Enhancement
%A 鲍景富
%A 张超
%A 吴兆辉
%J 电子科技大学学报
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.03.012
%X 为了提高MEMS谐振器的品质因数（Q值），该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的AlN压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态，其Q值可以达到4.3×104，对应的f·Q乘积为1.29×1012。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1，减小了谐振器到基底的能量耦合，从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模，两种方法的模型结果一致，说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗，从而有效地提高横向振动模态AlN压电谐振器的Q值。<br>
%K AlN压电谐振器
%K 退耦结构
%K MEMS
%K Q值&lt
%K br&gt
%U http://manu50.magtech.com.cn/dzkjdx/CN/abstract/abstract3971.shtml