%0 Journal Article
%T SF_6过热产生H_2S的激光光谱法快速分析 Rapid analysis of trace-level H_2S produced by overheated SF_6 using laser absorption spectroscopy
%A 刘翔
%A 李瑶
%A 马冬莉
%A 胡雪蛟
%J 武汉大学学报(工学版)
%D 2018
%X 对SF6局部过热模拟设备中分解产生的微量特征组分H_2S,采用快速可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,简称TDLAS)技术,进行了实时检测.结果表明:SF6开始分解产生H_2S的温度可低至文献报道的下限温度350℃以下,且反应几乎是瞬时完成.H_2S生成量与加热温度之间并不是简单的递增关系,而是存在一定的温度窗口对应H_2S浓度峰值.这些发现可为SF6分解特性研究以及气体绝缘设备故障诊断提供参考
%K 六氟化硫
%K 硫化氢
%K 过热故障
%K TDLAS技术
%U http://wsdd.cbpt.cnki.net/WKC/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=d773bbe5-842e-4f7f-9252-c749247e7c0a