%0 Journal Article
%T 基于金属有机框架的Cu-Cu_xO-C/rGO复合材料制备及其电容性能
%A 李曦
%A 蔡旻堃
%A 孙逢柯
%A 孟倩
%A 周键
%A 董玉林
%J 武汉大学学报(理学版)
%D 2018
%X 以Cu-MOF-199/氧化石墨烯(GO)为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-Cu_xO-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电镜等对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安和恒电流充放电等方法测试材料的电化学性能.未掺杂GO的复合材料呈八面体构型,Cu和Cu_xO颗粒均匀分布在碳骨架上,随着GO引入量的增加,其形态的不规则程度增大.GO投料比例为10%、碳化温度为800℃时,材料的电容性能最佳,在电流密度为0.5 A·g~(-1)时比电容达620 F·g~(-1),1A·g~(-1)时达477 F·g~(-1)A·g~(-1)时仍有206 F·g~(-1)
%K 铜氧化物
%K 金属有机框架(MOFs)
%K 石墨烯
%K 赝电容
%K 超级电容器
%U http://whdy.cbpt.cnki.net/WKD/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=fb5fa450-e87d-4acc-bf31-6ed0b680c572