%0 Journal Article
%T S离子注入形成的缺陷对CdS纳米带的影响 Properties of CdS Nanobelts Modified by Defects Produced by Sulfide Ion Implantation
%A 汪振环
%A 徐进霞
%A 梅菲
%A 周远明
%A 刘凌云
%J 武汉大学学报(理学版)
%D 2017
%X 为了探究缺陷对CdS纳米带性能产生的影响,本文通过简单、易行的化学气相沉积法(CVD)在硅基底上制备了CdS纳米带,将不同剂量的S离子注入到CdS纳米带中,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)等分析样品的晶体结构,进一步通过光电性能的测试,研究S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带性能产生的影响.结果表明,S离子注入引入的缺陷使CdS纳米带晶体质量发生变化,导致S离子注入后CdS纳米带的激子发光峰减弱,缺陷发光峰增强,并且它们之间的强度比随着注入剂量的改变可以进行调节.最后,通过对单根CdS纳米带场效应晶体管的转移特性曲线进行分析,证明了S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带电学性能有较大影响,并进一步分析讨论了其对电学性能影响的机理
%K CdS纳米带
%K 离子注入
%K 光致发光
%K 场效应管
%U http://whdy.cbpt.cnki.net/WKD/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=7b72474f-29c7-48fa-af5c-d89fc3a5e036