%0 Journal Article
%T 团簇V3BP电子自旋密度的研究
%A 刘琪
%A 方志刚
%A 赵振宁
%A 韩建铭
%A 崔远东
%J 北京化工大学学报(自然科学版)
%D 2018
%R 10.13543/j.bhxbzr.2018.03.003
%X 基于密度泛函理论，对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V3BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明：团簇V3BP最稳定构型1（4）外围电子自旋密度分布均匀，对称性好；内部原子间成键强弱均匀，对称性好；最不稳定构型8（2）外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀，对称性差且极不规整；内部原子间成键强度各不相同，同一类型键原子间成键强弱也不均匀；团簇V3BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成，且α电子所占比例较大；构型2（4）、1（2）、4（2）、8（2）内部原子间成键后均为β电子过剩，其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。
%K 团簇V<sub>3</sub>BP
%K 稳定性
%K 密度泛函理论
%K 自旋密度分布
%U http://www.journal.buct.edu.cn/CN/abstract/abstract15688.shtml