%0 Journal Article
%T 硫化镉/石墨烯/TiO2纳米棒阵列的光电化学性能
%A 张亚萍
%A 黄承兴
%A 董开拓
%A 张志萍
%A 于濂清
%A 李焰
%J 中国石油大学学报(自然科学版)
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1673-5005.2016.03.024
%X 采用水热法在掺氟导电玻璃(FTO)上生长TiO2纳米棒阵列。通过电化学伏安法将氧化石墨烯还原并沉积在TiO2纳米棒阵列上,再经过化学水浴沉积硫化镉,形成CdS/石墨烯/TiO2阵列复合材料。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能量色散仪对样品的晶型、形貌以及成分进行分析。通过电化学工作站表征样品交流阻抗、开路电位、光电流响应及光化学能转换效率。结果表明,复合材料的电荷转移电阻约是未修饰的TiO2纳米棒阵列的1/17,光电流比未修饰的TiO2纳米棒阵列提高约2.5倍,在外加电压为-0.6 V时可达到2.2％。</br>Key words: TiO2 nanorod CdS graphene photoelectrochemical propertie
%K TiO2纳米棒 硫化镉 石墨烯 光电化学性能&lt
%K /br&gt
%K TiO2 nanorod CdS graphene photoelectrochemical properties
%U http://zkjournal.upc.edu.cn/zgsydxxb/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20160324&flag=1