%0 Journal Article
%T 掺杂不同质量分数Y_2O_3、MgO对Al_2O_3陶瓷显微结构及介电性能的影响 Effects of Y_2O_3 and MgO doping on the microstructures and dielectric properties of Al_2O_3 ceramics
%A 洪逍
%A 章林
%A 贾成厂
%A 秦恬
%J 粉末冶金技术
%D 2017
%X 利用放电等离子烧结技术制备了不同质量分数Y_2O_3单独掺杂及不同质量分数Y_2O_3、MgO共同掺杂的Al_2O_3陶瓷,研究了烧结助剂掺杂质量分数对Al_2O_3陶瓷显微结构及介电性能的影响。结果表明,孔隙率是影响Al_2O_3陶瓷介电性能的主要因素;单独掺杂质量分数为0.25% Y_2O_3时,Al_2O_3陶瓷得到最优的介电性能,介电常数(ε_r)为9.5±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在10~(-3)数量级以内;同时掺杂Y_2O_3和MgO能进一步改善其介电性能,当两者质量分数均为0.25%时,得到最优值,介电常数(ε_r)为10.3±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在8×10~(-4)以下。
%K Al2O3陶瓷
%K 掺杂
%K 放电等离子烧结
%K 显微结构
%K 介电性能
%U http://fmyj.cbpt.cnki.net/WKE/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=d2a9ebbe-a8d4-40be-a7c8-9e8334ae4b1f