%0 Journal Article
%T 应用染色体g显带技术评估辐射剂量和染色体畸变的量效关系
%A 施常备
%A 陈晓泉
%A 姚俊涛
%A 袁勇
%A 赵征
%A 袁彬
%A 赵明刚
%A 陈葳
%A 王翔
%A *
%J 癌变·畸变·突变
%D 2011
%X ？应用染色体g显带技术观察4mv的x线辐射后的染色体畸变情况，分析不同类型的染色体畸变和辐射剂量的关系。方法：以4mv的x线0.5、1、2、4gy对离体人外周血进行辐照，其淋巴细胞培养后，采用染色体g显带分析不同类型的染色体畸变率。结果：染色体双着丝粒、缺失、易位以及片段畸变和辐射剂量呈线性正相关，其线性趋势线和r2值依次分别为：y=24.1x-13.3(r2=0.975)；y=10.5x-2.7(r2=0.887)；y=30.2x-17.8(r2=0.913)；y=53.3x-38.7(r2=0.976)。结论：染色体g显带技术可以较非显带技术提供更多更准确的畸变信息，为进一步研究提供借鉴。
%K 辐射
%K 染色体畸变
%K g显带技术
%U http://www.egh.net.cn/CN/abstract/abstract2088.shtml