%0 Journal Article
%T 掺钇非晶硅的电特性
%A 程兴奎
%J 材料研究学报
%D 1997
%X ？由射频溅射技术将稀土元素钇(y)掺入非晶硅,制备出一种新的n型半导体材料.掺y低于9%(原子百分数,下同)时,在测量温度范围内1ogσ～t~-1呈线性关系;当掺y高于13%时,logσ~t-关系可拟合成有一个拐点的两条直线;当掺y达～30%时,发生由半导体向金属的转变
%K 溅射
%K 掺y非晶硅
%K 电特性
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract15864.shtml