%0 Journal Article
%T 工艺参数对sol—gel法制备的plzt铁电薄膜结构和性能的影响
%A 阎培渝
%A 李龙土
%A 张孝文
%J 材料研究学报
%D 1995
%X ？用sol-gel法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的plzt薄膜,研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素适宜的前体溶液液浓度和水解度,低的热处理变温速率对防止薄膜龟裂有利/pbtio3过渡层改善plzt薄膜的形核过程,使之生成纯钙钛矿结晶相.pbtio3过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间电荷使薄膜的剩余极化强度下降,矫顽场强上升.
%K plzt
%K 铁电薄膜
%K sol-gel法
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract16053.shtml