%0 Journal Article
%T 低温共烧多层aln陶瓷基片
%A 吴音
%A 缪卫国
%A 刘耀诚
%A 周和平
%J 材料研究学报
%D 1998
%X ？介绍了由高热导率aln陶瓷与金属w制备的低温共烧多层aln基片研究了以dy2o3为主的添加系统对低温烧结aln性能、显微结构的影响以及制备低温共烧基片的关键工艺,如排胶、烧成等,结果表明:以dy2o3为主的添加系统可有效地降低烧结温度和去除aln晶格氧在1650℃的氮中无压烧结4h,热导率达130w(m·k)-1;两步排胶法可以较好地解决w氧化及aln晶粒表面吸附残余碳的问题;烧结时在1400～1650℃慢速升温,可减小共烷基片的翘曲和残余应力
%K aln陶瓷
%K 低温共烧
%K 多层送片
%K 热导率
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract15720.shtml