%0 Journal Article %T 含活性基团硅氮烷先驱体的裂解 %A 胡海峰 %A 陈朝辉 %A 冯春祥 %A 张长瑞 %A 宋永才 %J 材料研究学报 %D 1998 %X ?用tg-gc,ir,元素分析,xrd研究mesihcl2与mesivi(vi:-ch=ch2)cl2共氨解产物的裂解过程.400~800℃在n2中完成裂解,硅氢化反应形成桥键[si-ch2-ch2-si,si-ch(ch3)-si]和自由基历程导致亚甲基插入形成si-ch2-si是裂解产物中富余碳的来源.在nh3中,nh3分子进攻si-ch3形成低分子产物逸出而脱碳,裂解发生在400~600℃,得到较纯的si3n4.1400℃以前裂解产物(n2,nh3)呈无定形态 %K 硅氮烷 %K 裂解 %K n2气氛 %K nh3气氛 %U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract15752.shtml