%0 Journal Article
%T 二氧化硅基质包埋硅纳米晶的微观结构和发光性能
%A 王乙潜
%A 梁文双
%A g.g.ross
%J 材料研究学报
%D 2009
%X ？利用离子注入和后续高温退火的方法制备了包埋在二氧化硅(sio2)基质中的硅纳米晶,研究了不同离子注入浓度试样的微观结构和发光性能,以及硅纳米晶的生长机理和发光机制.结果表明:？较小的硅纳米晶(<5nm)其生长机理符合ostwald熟化机理,较大的纳米晶(>10nm)则是由多个小纳米晶粒通过孪晶组合或融合而成的;离子注入浓度为8？×1016cm-2的样品其发光强度是离子注入浓度为3×1017cm-2样品发光强度的5倍；硅纳米晶内部的微观结构缺陷(如孪晶和层错)对其荧光强度有很大的影响.
%K 无机非金属材料
%K 硅纳米晶
%K 电子显微学
%K 生长机理
%K 荧光光谱
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract9078.shtml