%0 Journal Article
%T gexsi1-x材料生长的改善
%A 李代宗()
%A 于卓()
%A 雷震霖(
%A )
%A 成步文()
%A 余金中()
%A 王启明()
%J 材料研究学报
%D 2000
%X ？利用超高真空化学气相淀积(uhv/cvd)系统在650℃生长出表面光亮的gesi单晶.在1200l/min分子泵与前级机械泵间串接450l/min分子泵,改善了生长环境.串接分子泵后生长的样品的x射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
%K 超高真空化学气相淀积
%K gesi
%K x射线双晶
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1561.shtml